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名城大学理工学研究科 | 論文
- III族窒化物半導体による紫外光源の開発動向
- 第3回ナイトライド半導体国際会議(ICNS'99)報告
- The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)(News of JACG)
- 動物体の広ダイナミックレンジ撮像方式
- D-11-148 移動物体の広ダイナミックレンジ撮像方法
- 零周波数フィルタ信号に基づく基本周波数抽出法のTANDEM-STRAIGHTへの応用について(音響分析一般(1))
- 624 高si硬引線の回転曲げ疲労強度に及ぼす微小ストレート切欠きの方向性の影響(切欠き,オーガナイズドセッション1.疲労の計測・解析・評価)
- 353 高Si硬引線の疲労強度に及ぼす微小欠陥の影響とショットピーニングによるその改善 : ストレート切欠きの場合(金属疲労)
- 熱間金型鋼の熱間鍛造時に関する疲労亀裂進展
- 共晶はんだ63Snー37Pbの疲労寿命に及ぼす温度, 繰返し速度, ひずみ保持の影響
- 176 窒化および微粒子ピーニング処理を施したSCM435調質鋼の広寿命域回転曲げ疲労特性(GS1-1 疲労特性評価の最前線)
- デモンストレーション: 音楽・音声言語情報処理の研究紹介(特別企画)
- 有機金属化合物気相成長法
- 青色発光素子
- 窒化ガリウム
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発