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名古屋工業大学大学院機能工学専攻 | 論文
- 細線熱電対群の応答補償と変動温度場の多次元計測への適用(熱工学,内燃機関,動力など)
- 8・1・3 伝熱(8・1 伝熱および熱力学,8.熱工学,機械工学年鑑)
- 2次遅れ系の特性をもつ計測器の適応応答補償 : 圧力測定系を例にした応答特性の解析と応答補償(流体工学,流体機械)
- アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
- 2000年アジア・パシフィックマイクロ波会議出席報告
- 熱電対による高温ガス測定時の温度補正
- 2003年アジア・パシフィツクマイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 2003年アジア・パシフィックマイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- マイクロ波光導電減衰法によるp型4H-SiCエピタキシャル膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 完全保存形差分スキームとJFNK法による非圧縮性流れの非分離解法(流体工学,流体機械)
- 圧力勾配下にある乱流拡散火炎の温度場構造と未燃物質排出特性(熱工学,内燃機関,動力など)
- G132 後方ステップに保持される乱流拡散火炎温度場の時空間構造
- 208 後方ステップに保持される乱流拡散火炎速度場の測定
- 1553 圧力こう配下にある乱流拡散火炎の挙動と燃焼制御
- 二線式熱電対による乱流燃焼場の温度測定 : 時定数の合理的な推定法
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
- アナログニューラルネットワーク回路を利用したダクト内アクティブノイズコントロール
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