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同志社大学工学部電子工学科 | 論文
- 反応性イオンエッチングによるシリコン表面損傷の電流-電圧特性を用いた評価
- 量子化機能素子研究開発の現状 (小特集:量子化機能素子) -- (量子化機能素子プロジェクトの進捗状況)
- 反応性イオン・エッチングによる損傷をもつショットキ-・ダイオ-ドの誘導性サセプタンス
- 光注入による単一モードHe-Neレーザの偏光スイッチングと双安定
- 630nm MQW型半導体レーザにおける光注入効果
- 外部注入光による633nmHe-Neレーザの偏光スイッチング機構
- 注入ロッキングを利用した633nmHe-Neレーザの偏光スイッチング
- 光注入による2モードHeNeレーザの偏光スイッチング
- 光注入による633nmHeNeレーザの偏光スイッチングと双安定[II]
- 高分散コロイド溶液を用いた電気泳動法による酸化チタン薄膜の作製
- 反応性イオンエッチングによる損傷層をもつAu/P-Siダイオードのアドミタンス特性
- 28pUC-12 水素負イオン源引出部の粒子輸送(プラズマ科学,28pUC プラズマ基礎(非線形現象),領域2(プラズマ基礎・プラズマ科学・核融合プラズマ・プラズマ宇宙物理))
- 外部共振器内ヨウ素吸収セルを用いたFM分光法による633nm He-Neレーザの周波数安定化
- 外部リング共振器を用いたヨウ素安定化HeNeレーザ[II]
- 外部共振器内に偏光素子を挿入した633nmHe-Neレーザの特異な偏光特性(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 外部共振器内に偏光素子を挿入した633nmHe-Neレーザの特異な偏光特性(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTEモードとTMモードの競合特性
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTEモードとTMモードの競合特性
- 赤色半導体レーザ増幅器におけるTEモードとTMモードの競合特性
- 複合共振器を用いた633nmHe-Neレーザの偏光特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)