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古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター | 論文
- C-3-43 低結合損失Uターン型lnP-PLCハイブリッド光集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製
- C-3-5 アクティブ調芯による8チャネルPLC-DFB-LDハイブリッド集積モジュールの作製(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- ハイパワー受光用導波路型フォトダイオード
- C-3-48 Uターン型InP-PLCハイブリッドデバイスの結合損失と反射減衰量の低減(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- C-3-11 プラスチックパッケージ型4ch光アレイモジュール
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-4-7 低雑音半導体光増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 長波長帯面発光レーザの開発 (特集 進化を続ける面発光レーザ)
- 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 低コスト光モジュ-ル用導波路型受光素子の開発
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
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