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千葉工業大学電子工学科 | 論文
- C-10-3 InGaP/GaAs HBT の直流温度特性
- C-11-8 MOSFET低周波ノイズのゲート寸法依存性
- C-10-17 AlGaAs/GaAs HEMTにおける g_m/g_d の周波数分散
- ドレイン電流飽和を含めたGaAsFETの解析モデル
- GaAs MESFET周波数分散の基板界面効果
- デルタシグマ変調による映像伝送装置
- FM-ΔMを用いた低階調量子化によるパルス変調方式
- 給電回路を分離したマイクロストリップフレーナアレイ
- 9.5GHz 帯マイクロストリップアンテナの製作及び検討
- 導波管の等価特性インピーダンスとその応用
- 移動通信の広帯域伝搬路における瞬時受信レベル分布特性の検討
- B-1-15 仲上-ライスフェージング環境における広帯域伝送時瞬時受信レベル分布の理論検討
- B-1-54 IMT-2000遅延プロファイルにおける瞬時受信レベル分布特性
- 等価受信帯域幅が大きい場合の受信レベル分布の理論検討
- 等価受信帯域幅が大きい場合の受信レベル分布の理論検討
- 等価受信帯域幅が大きい場合の受信レベル分布の理論検討
- 等価受信帯域幅が大きい場合の受信レベル分布の理論検討
- 広帯域受信レベル分布のフェージングシミュレータによる検討
- 到来波がレイリー分布する場合の広帯域受信レベル分布特性
- 広帯域伝送時瞬時受信レベル分布のパラメータの考察