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北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻 | 論文
- ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- A-1-13 TDC付きシングルスロープADCの特性解析(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- D-11-39 ガンマ関数を用いた高性能局所ヒストグラム平均化手法の検討(D-11.画像工学,一般セッション)
- C-12-6 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの高利得化(C-12.集積回路,一般セッション)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- CMOSイメージセンサの広ダイナミックレンジ化とその適正制御
- 1-110 北欧における工学教育の国際化対応について(3) : Sweden, KTHの調査から((19)国際化時代における工学教育-I,口頭発表論文)
- 1-109 北欧における工学教育の国際化対応について(2) : Sweden, Linkoping大学の調査から((19)国際化時代における工学教育-I,口頭発表論文)
- C-2-19 ドレイン接地フィードバックを用いたUWB用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-18 広帯域直交ミキサにおける共振インダクタQ値の影響(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- BI-1-8 2重位相共役技術を用いた光衛星間通信の高性能化に関する研究(BI-1.宇宙へ応用されるレーザ技術,ソサイエティ企画)
- 1-108 北欧における工学教育の国際化対応について(1) : Denmark, CIRIUSの調査から((19)国際化時代における工学教育-I,口頭発表論文)
- C-3-13 偏光無依存な相互励起型位相共役鏡による動的再構成可能な光接続(パッシブデバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 195 米国における新しい技術者教育 : 北海道大学工学部海外高等教育実態調査(技術者継続教育I,第50セッション)
- A-1-25 複数位相クロックを用いたCMOSイメージセンサ用AD変換器(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- A-1-14 周期比較方式PLL発振周波数特性における雑音影響の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- CoFe強磁性トンネル接合を用いた不揮発性3値連想メモリ(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- ハーフメタル系ホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜とMgOトンネル障壁を用いたエピタキシャル強磁性トンネル接合の製作とトンネル磁気抵抗特性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- マグネトロンスパッタ法によるホイスラー合金Co_2Cr_Fe_Al薄膜のエピタキシャル成長と磁気特性評価
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