スポンサーリンク
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター | 論文
- 26aWB-3 n-type GaAs(100)表画における超高速光励起キャリアダイナミクス(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
- 九州シンクロトロン光の特徴と最先端利用計画
- 19pYD-5 n-type GaAs(100)表面におけるキャリアダイナミクスの解明(光電子分光,領域5(光物性))
- 23aWX-7 時間分解2光子光電子分光によるSi(001)初期酸化表面の研究(23aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 佐賀県におけるシンクロトロン光応用研究施設の建設 (特集 地域における放射線利用の技術展開(1))
- 12aXC-11 シンクロトロン光とレーザーの組合せによる半導体表面の光誘起現象の研究(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
- 化学気相法で成長したエピタキシャル層のフォトルミネッセンスとその成長条件依存性 : エピタキシー
- 地方からの未来開拓-佐賀県で計画されるシンクロトロン光応用研究施設について-
- 閉管法によるZnTeの気相成長 : 気相成長
- 25aXQ-1 n-type GaAs(100)表面における超高速時間分解光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
- 24aPS-29 Cr/p-GaAs(100)における表面光誘起起電力効果(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 工業的応用の為の放射線検出器の開発
- 低圧MOCVD法によるZnTeのエピタキシャル成長 : エピタキシーII
- 塩化水素を用いた開管化学気相法によるZnTeの成長特性
- 27pPSA-17 マンガンフタロシアニン薄膜の占有・非占有電子状態(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Ga溶媒からのSiのLPE成長と成長層の電気的性質 : 溶液成長
- DMZn,DETeを用いた低圧MOCVDに於けるガス分析
- 低圧MOCVD法によるZnTe成長特性とフォトルミネッセンス
- ZnSe/GaAs(111) 結晶の回転双晶 : エピタキシーII
- バイパス流を用いたGaAs基板上へのZnSeの気相エピタキシャル成長
スポンサーリンク