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住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 | 論文
- B-10-113 高利得50Gbit/s帯トランスインピーダンスアンプの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性
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- C-4-13 400GbEに向けた1.3μm帯56Gbit/s EMLモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-27 InP系変調素子とドライバICを内蔵した小型DP-QPSK変調器モジュールの低消費電力駆動(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-47 100Gbit/s小型WDM集積光送信モジュールの開発(光集積デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-22 光合波機能を一体化した100Gbit/s小型集積光送信モジュール(C-3.光エレクトロニクス)
- B-10-85 128Gbit/s-DP-QPSK小型変調器モジュール用ドライバICの開発(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格))
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
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- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
- AlGaInAs端面発光型レーザの信頼性向上
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