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住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 | 論文
- AlGaInAsレーザのESD耐性(光部品の実装・信頼性,一般)
- InGaAsP/InPレーザの劣化解析(光部品の実装・信頼性, 一般)
- GaInAsP/InPレーザのESD劣化解析
- 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
- 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いた周波数間隔25GHzでのDWDM伝送
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- 二波長帯WDM分散マネージソリトンによるテラビット長距離伝送(2) : 1.55μm帯EDFAの開発
- B-10-101 順方向ASEモニタによる高速AGC制御EDFAの検討
- B-10-75 小型低消費電力の40km伝送用10Gbit/s光トランシーバ(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-12-10 100GEトランシーバ用25Gb/s高利得TIA(C-12.集積回路,一般セッション)
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送
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- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
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- D-WDM用ファイバグレーティング外部共振器型レーザモジュール