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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- ファイバグレーティング付き半導体レーザ
- 7)ファイバグレーティングを用いた外部共振器レーザの数値解析(無線・光伝送研究会)
- C-3-18 4ch-心送受信光トランシーバモジュールの開発
- C-3-14 表面実装型ファイバーグレーティングレーザモジュール
- 直線型光導波路とフィルタ付PDを用いた1.3/1.55μm光送受信モジュールの開発
- C-3-51 ポリマー直線導波路を使った1.3/1.55μm-芯双方向モジュール
- InGaAsP/InGaAs WDM-PDモジュールの開発
- OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 半透過型PDを用いたTCM光送受信モジュールの開発(I) : PDの基本特性
- C-12-10 100GEトランシーバ用25Gb/s高利得TIA(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-9 10G-EPON OLT用バースト対応TIA(C-12.集積回路,一般セッション)
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- C-3-13 光送信デバイスの高精度接着組立技術の開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-10-32 GE-PON 3R中継装置の開発(B-10.光通信システムB(光通信),一般講演)
- 直接変調ファイバグレーティングレーザ(FGL)を用いたチャンネル間隔12.5GHz及び25GHzでのDWDM伝送