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京都工芸繊維大学大学院電子システム工学部門 | 論文

• RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定
• 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
• 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
• 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
• 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作
• 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 奨励講演 光励起によるGaAs-xBi[x]/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(奨励講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
• 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性

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