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京大工研 | 論文
- 放射線熱ルミネセンス V 遊離基との関係 : 放射線物理
- 電子の物質透過
- Activation法によるNiのα反応の断面積 : 原子核実験
- 15p-A-1 Biの高周波特性
- 5p-H-4 ビスマスの負抵抗効果 II
- Tb^の崩壊 : 原子核実験
- 9p-N-4 Eu^の崩壊
- 7a-L-7 放射線熱ルミネッセンス IX : 発光の機構
- 7p-H-3 放射線によるthermoluminescenceのmechanism : 特に有機物質に対して
- 12p-K-5 Te-dopedBiにおける電流磁気効果と負抵抗効果
- 9p-E-3 γ線による二次電子の透過
- 天然C^分布の測定(I) : VII-VIII. 放射線物理,放射線物理シンポジウム : 放射線物理
- 電子透過の際の二次電子スペクトル : 放射線物理
- 放射線熱ルミネツセンス IV アミノ酸 : 放射線物理
- ビスマスにおける負電場の物性的意味 : 半導体 (半金属)
- 12p-K-6 固体プラズマにおける自己誘導効果,ビスマス
- 12p-K-4 磁場中における固体プラズマの負抵抗効果と不安定性,ビスマス
- ビスマスの電流磁気効果とMany-Band Model : 半導体(半金属)
- 9a-F-5 Sn-doped Bi 単結晶の電流磁気効果
- ビスマスにおける3-Band Conduction(半導体(化合物,炭素,ビスマス))