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京大低温セ | 論文
- 20aYC-7 2層ν=1量子ホール状態における縦抵抗の2つの極小と異方性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-8 2層系ν=2/3状態における異方的電気伝導(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 31aZP-10 高精度試料回転機構の開発と Skyrmion 励起の測定
- 31p-T-4 PrCu_6の核磁気秩序相の磁化II
- 7a-L-9 1μm平行平板間における超流動^3Heの相転移III
- 7a-L-8 液体3Heの超流動ゆらぎ
- 6a-L-12 PrCu_6の核磁気秩序相の磁化
- 31a-H-2 PrCu_6の転移点近傍での帯磁率と磁化のふるまい
- 28a-H-9 1μm平行平板間における超流動^3Heの相転移II
- 22aXA-7 中性子小角散乱法を用いたCeCoIn_5における磁束格子構造の研究(Ce化合物の超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-11 強面内磁場下での2層系ν=3量子ホール状態におけるヒステリシス現象(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-10 2層系ν=1/3量子ホール状態における活性化エネルギーの電子密度差依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-1 2層系υ=1/3量子ホール状態(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-10 2層系ν=2量子ホール状態における傾角反強磁性相(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYC-8 2層系ν=1量子ホール状態の面内磁場依存性(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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