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九州大学総合理工学府 | 論文
- 21aVD-10 フィードバック制御法によるソリトン型や渦型解の数値計算(21aVD 保存力学系・力学系とそのモデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 23pTP-9 樹枝状結晶の横枝競合成長の数理モデル(力学系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aTP-8 フラクタル電極をもつ電機二重層キャパシタの数値的研究(保存系,その他の系,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 24aPS-1 樹枝状形態の横枝成長における競合ダイナミクス(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25aXE-4 可逆な分子モーターモデルの効率と揺らぎ(25aXE 非平衡基礎論I(分子機械・相転移),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 三村昌泰編, パターン形成とダイナミクス, 東京大学出版会, 東京, 2006, xi+149p, 21.5×15.5cm, 本体3,200円, (非線形・非平衡現象の数理4), [大学院向]
- 22aPS-1 抑制結合IFBモデルの集団同期現象(領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 19pXE-7 ダブロンの巣団競合現象2(応用数学,力学,波動,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- B172 シリコンチップ上の FC-72 の沸騰熱伝達におよぼす高沸点有機物添加の影響
- マイクロピンフィンを有するシリコンチップ上のFC-72の沸騰熱伝達におよぼすフィン寸法の影響(熱工学,内燃機関,動力など)
- 内部バルジの渦動性と波動性(流体における波動現象の数理とその応用)
- 1.5micron帯における広帯域可変波長のCe:Er共添加フッ化物ファイバーレーザー(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 1.5micron帯における広帯域可変波長のCe:Er共添加フッ化物ファイバーレーザー(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 26aTF-8 沿面放電パターンのシミュレーション(26aTF その他の数理モデル・その他の系(摂動法・数値計算アルゴリズムを含む),領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
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