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上智大理工:crest-jst:上智ナノテク | 論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- 12pPSA-4 GaN/AlN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移ダイナミクス(領域 4)
- 29pXQ-5 GaN/AlN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の超高速緩和過程(超高速現象)(領域5)
- 21pPSB-2 GaN/AIN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の吸収飽和と高速緩和過程
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-29 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-31 InNナノコラムにおけるバンドギャップとキャリア濃度の評価(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-10 GaNナノコラム結晶の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-27 GaNおよびInGaN/GaNナノコラム結晶の光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
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