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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- B-10-78 半導体光増幅器に基づく3分岐型波長変換器を用いた全光XORゲート(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-6-2 レーザTV用超小型プレーナ導波路アレイ内部波長変換グリーンレーザ(CS-6.光通信とディスプレイを支える光デバイス技術,シンポジウムセッション)
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ダイナミックレンジ拡大波長変換器の開発(省エネルギーと超高速インターネット-デバイス,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- 高出力擬似回折限界テーパ型光増幅器
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gネットワークアプリケーションに対応した12.5Gbps Half-rate CMOS CDRの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- B-10-102 SOI-CMOSを用いた10ギガビットイーサネットトランシーバLSIの開発(B-10. 光通信システムB(光通信))
- Ka帯オープン/ショートスタブ切替型ハイパワースイッチ(学生発表会/一般)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (光エレクトロニクス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD (フォトニックネットワーク)
- 100Gイーサネット用25Gbps EA変調器集積DFBレーザモジュール(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-3-32 入力ダイナミックレンジを拡大した43Gbps用波長変換器の開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 100Gb/sイーサネット用1.3μm帯25Gb/s EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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