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三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所 | 論文
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- フリップチップ実装した60GHz帯受信フロントエンドCMOS ICの試作
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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- CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)