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レオベン大 | 論文
24aWH-5 開放系量子ドットにおける走査ゲート顕微鏡像の解析(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
24aWQ-2 Lateral dot fabrication by using a MOS electric gate on SiGe hetero structure
20aFB-5 走査ゲート顕微法による開放系量子ドット内の電子状態の直接観察(20aFB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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