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パナソニック株式会社 デバイス・システム開発センター | 論文

• 書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 書き換え1000万回超のReRAMを実現する微細フィラメント形成技術及びレベルベリファイ書込み方式(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 書込み速度443MB/sを実現する8Mb多層クロスポイントReRAMマクロ

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