スポンサーリンク

パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター | 論文

• 2.2/3インチ単板カラー4K2K CMOSイメージセンサ : 画素数・フレーム速度のRGB適応読み出しによる高感度化(固体撮像技術)
• In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
• グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長
• P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計
• Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計

スポンサーリンク