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ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー,テクノロジー開発本部 | 論文

• SBT膜を用いた1T1Cスタック型強誘電体メモリセル集積化技術
• SBT膜を用いた1T1Cスタック型強誘電体メモリセル集積化技術
• SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

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