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シャープ株式会社機能デバイス研究所 | 論文
- 3C11 強誘電性液晶材料の二軸誘電異方性とτ-Vminモード駆動特性
- 強誘電性液晶材料とその応用
- 2B404 SSFLCの光学特性に対する界面プレティルトの効果
- 2B403 表面安定化強誘電性液晶の4つの配向状態
- 3PC08 配向膜の2段階焼成による柱状スペーサー付き強誘電性液晶ディスプレーの機械強度の向上
- 3C12 τ-V min強誘電性液晶を用いたセル厚変化法による階調表示方法
- 1F607 τ-V minモード用強誘電性液晶材料の駆動特性
- 1F602 シェブロン層構造を有する強誘電性液晶セルのスイッチング挙動
- 14a-B-8 表面安定化強誘電性液晶のX線回折
- 3A02 ピラノース系キラル化合物を用いたτ-Vminモード用強誘電性液晶組成物
- 3A01 τ-Vminモード用ラテラルフッ素置換アセチレン系強誘電性液晶組成物
- 液晶ディスプレイの開発動向
- 3-4a 壁状スペーサー付き強誘電性液晶ディスプレイの配向と耐ショック性
- 3PC06 表面安定化強誘電性液晶のスイッチング特性
- 18-5 ポリマー/強誘電性液晶複合デバイスを用いたアナログ階調表示
- 3PC07 強誘電性液晶における再配向法
- カラ-液晶ディスプレイ
- Bi_2SiO_5バッファ層を用いてSi基板上に形成したBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜の電気的特性
- Bi_2SiO_5バッファ層を用いてSi基板上に形成したBi_4Ti_3O_12強誘電体薄膜の電気的特性
- MOCVD法によるBi_4Ti_3O_薄膜の低温形成とその電気的特性