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シャープ中研 | 論文
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- 5p-K-5 Hypersonicsに依る固体の吸收の研究
- 技術解説 高透過アドバンストTFT-LCD技術 (特集1 液晶要素技術)
- 1p-L-10 ギ酸マンガン二水塩の自発磁化転移機構
- 熔融基板からの液相エピタキシによるSiC結晶成長
- 1)GaAs負性抵抗発光素子(第17回 固体画像変換装置研究委員会)
- 31p-P-16 結晶転位における面チャネルイオンの散乱
- 31p-P-14 Al-Zn, Al-Ag 合金単結晶中のG.P.ゾーンでのデチャネリング
- 2a-S-2 球状G.P.ゾーンを含むAl-Ag合金単結晶でのイオンチェネリング
- 5a-S-1 境界転位による チャネリングイオンの直接散乱II
- 2p GD-10 転移によるイオンのディチャネリング
- 2p GD-8 境界転移によるチャネリングイオンの直接散乱
- 2p GJ-1 金単結晶中の転位線に沿っての銀原子の異常拡散
- 5p-PS-102 R_1Ba_2Cu_3O_y(R=希土類イオン)のRイオンと伝導キャリアとの相互作用に関する一考察
- 5p-PS-101 (La_Ba_x)_2CuO_4のCu及びOイオンと伝導キャリアとの相互作用に関する一考察
- 9)Poly-Si TFT LCDにおける絵素微小化(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 2R17 二層構造TN-FEM液晶表示セルの特性
- 31p-AB-3 固体表面における陽子,He^+の電子捕護の測定
- 31p-AB-2 個体表面に小角入射したイオンの散乱
- 個別光センサ-(固体素子)の使用上のポイント (光センサ-とその応用--システム設計へのアプロ-チ)