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シャープ中研 | 論文
- 4p-U-10 Geにおけるアクセプター及び励起子の磁場中のエネルギー準位
- 11p-F-12 電子・正孔プラズマ及びエクシトンによる遠赤外光吸収
- 4p-R-2 Geの電子-正孔液滴によるマグネットプラズマ吸収
- 13a-W-14 励起子及び電子・正孔液滴による遠赤外光の透過
- 4p-KL-7 H_2Oレーザーによるn-Geの磁気光吸収
- 5p-KD-11 Ge中のE-H-Dによるマグネトプラズマ吸収
- 24a-G-4 Geの遠赤外光による光吸収
- 1R17 螢光散乱型液晶表示装置(II)
- 2p-NE-2 金属フタロシアニン蒸着膜の形態とアニーリング効果
- 5p-P-9 Ge,Si-フタロシアニンの電気的特性(3)
- 11-5 メモリ付薄膜ELパネルの光による書込み、消去
- 11-4 メモリ付薄膜ELの電気的読み出し
- 10-2 薄膜ELパネルによる画像表示
- 10p-S-2 Si,Ge-フタロシアニンの電気的,光学的性質
- 三層薄膜ELのパルス駆動による内部分極量の測定
- 6a-B-6 Ge中の励起子,液滴の時間変化
- SiC結晶粒のエレクトロンチャンネリングによる評価
- 30p-Q-3 導電性高分子の高電界電気伝導
- 30p-Q-2 ポリアセチレン膜中の電気伝導
- 31p-P-15 チャネリングによるPbS/PbSe中の不一致転位網の構造決定