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アトムテクノロジー研究体 | 論文
- 定量的解析手法によるITOスパッタ時の酸素添加メカニズムの研究
- マイクロオ-ジェ/シムス分析装置の開発-2-機構 (第28回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- マイクロオ-ジェ/シムス分析装置の開発-1-ソフト・性能 (第28回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- オ-ジェ電子分光法による定量分析--Fe-Cr酸化物の深さ方向定量分析 (第19回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 超高真空走査トンネル顕微鏡による水素終端シリコン表面の観察
- 水素終端シリコン表面の形成
- 2p-YD-13 STMを用いたSi(111)-1×1:Hからの水素脱離II
- 溶液処理を用いたシリコン(001)表面の平坦化
- 水素終端Si (001) 基板上での銅フタロシアニン配向制御
- 5a-B-9 STMを用いたSi(111)-1x1:Hからの水素脱離
- STMで見た単結晶Si表面のH原子パッシベーション構造
- 30p-Q-15 多孔質シリコンの虫喰い構造モデル II
- 25p-ZE-19 多孔質シリコンの虫喰い構造モデル
- 29p-W-5 チューブ状グラファイトのエネルギーと弾性的性質
- 29p-W-4 チューブ状グラファイトの電子構造
- 28a-D-2 大気圧中における金属表面の走査型トンネル顕微鏡像
- 28p-C-12 Ordered Double Perovskite Sr_2FeMO_6(M:Mo,Re)におけるトンネル磁気抵抗
- 30a-N-7 Ordered Perovskite Sr_2FeMoO_6における磁気抵抗効果
- 28p-WB-5 Ga吸着Si(111)表面のステップダイナミックスと制御
- Gaの昇温脱離現象を利用したSi(111)面上細線構造の自己組織化