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(財)国際超電導産業技術研究センター超電導工学研究所 | 論文
- 29p-PSA-12 超高圧合成した(Hg, TI)-22(n-1)n超伝導体(n=1-5)における還元処理の影響
- (Hg, Tl)_2Ba_2Ca_Cu_nO_y(n=1-6)超伝導体の超高圧合成
- 頂点塩素を有する新銅酸化物Ba_2CuO_2Cl_2の超高圧合成
- 頂点塩素を有するT^*型銅酸化物の超高圧合成
- 1223構造を有するPb系銅酸化物超電導体の超高圧合成
- 28p-YJ-10 (TMTSF)_2PF_6のSDWにおけるスライディング状態での交流電気伝導度
- 13a-C-6 (TMTSF)_2PF_6におけるSDWのスライディング状態でのコヒーレントドメインの評価
- 40kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
- Nb-AlO_x-Nbジョセフソン接合における臨界電流値バラツキの解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
- C-8-7 5bit超電導フラッシュ型ADCの設計および測定(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 超電導バルクの交流印加磁界による温度上昇
- YBCO薄膜におけるクエンチ挙動の直接観察
- 26a-PS-26 Bi2212単結晶における磁束ピン止め
- TF A-MOD法によるYGdBCO線材の臨界電流特性におけるナノ粒子の影響
- 磁気転写用(Bi, Pr, Ga)置換型ガーネット薄膜の磁気光学特性
- 光磁気転写用(BiPrLu)_3(FeGa)_5O_の低温での磁界感度特性
- 磁束イメージングのための磁性ガーネット面内磁化膜の合成
- 改質バリアの再結晶化過程の観察および改質バリアランプエッジ接合の特性
- エレクトロニクス応用を目指す酸化物超伝導薄膜 : ホモエピタキシャル成長へ向けて
- 27p-APS-57 100MHzスパッタリングによるYBa_2Cu_3O_a軸配向膜の結晶性