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(株) 日立製作所中央研究所 | 論文
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- 古典論および量子論での物理実験
- 半導体トランスジューサの物性と応用
- 強誘電強弾性体Gd_2 (MoO_4)_3 IV. 強誘電強弾性的性質 : 誘電体
- 8-1 ブラウン管けい光面製作過程における紫外線強度分布測定
- CMA アダプティブアレーを適用した高速 GMSK 伝送装置の都市内走行実験結果
- 3次元電子顕微鏡における試料形状モデリング法
- 試料境界線を利用した3次元モデリング法
- EDXマッピングの高感度化と半導体ドーパントプロファイルの観察 (ナノテクノロジーにおけるAEMの役割)
- 位相限定相関法を用いたTEM自動焦点補正装置の性能評価
- 牧島象二先生 - 化学入門からパターンダイナミックス創生まで -
- 微細構造を持つ埋込みヘテロ・エピタキシと半導体レーザへの応用
- 回路技術の限界と新しい展開を求めて
- S2-2 各種LSIデバイスの動向
- 13a-H-12 イオン打込みしたヒ化ガリウムの電気伝導
- 18p-A-17 S-doped GaSbの電気抵抗の圧力効果
- 単結晶Bi-Sb合金のI→II, IIIの圧力転移 : 金属
- 14a-K-6 高圧下でのIII-V族化合物半導体の電気伝導I. : InSb
- III-V族化合物半導体の高圧相 : 金属
- 電子線ホログラフィー