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(株)日立製作所中央研究所 | 論文
- Partial ErasureのNLTS測定への影響
- 463 立位コーンビーム三次元X線計測装置の臨床試用および高画質化技術の開発
- B-7-24 光バースト・テラビット級スーパーネットワークの実験(B-7.情報ネットワーク,一般講演)
- B-7-23 光バースト・テラビット級スーパーネットワークの設計(B-7.情報ネットワーク,一般講演)
- 代数幾何符号の磁気ディスク装置への適用についての基礎検討(記録・記憶技術)
- ESCAによるシリコン酸化膜内の微量不純物や欠陥の検出
- Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
- ESCAによるSiO_2/Si内の電子トラップ,正孔トラップの検出
- ESCAによる極薄シリコン酸化膜の厚さの測定 (表面,界面分析の工業的応用)
- 化学蒸着したタングステンとSiO2との密着性の評価
- ESCAで測定されたSi2p準位に与えるX線照射の影響
- 化学蒸着した珪化タングステン薄膜と多結晶シリコンとの密着性の評価
- Mo/Si界面でのSi酸化物の生成
- アルミニウム蒸着時のシリコン基板の酸化
- MOS超LSI用ゲ-ト電極材料("機能材料・新素材"シリ-ズ-10-)
- 「金属と水」ミニシリ-ズ-3-シリコン半導体素子と水
- Si-SiO2界面状態の分析 (「粒界・相界面」)
- 半導体製造技術の向上に対するESCAの実用化と問題点
- X線照射による絶縁被膜の帯電
- ESCAで測定されたSi酸化膜の化学シフト