辰村 光介 | (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

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概要

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• (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリーの論文著者

(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー | 論文

• 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
• ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
• 微細MOSトランジスタの特性揺らぎの問題
• 第48回真空に関する連合講演会開催報告
• SiGe基板上ひずみシリコン結晶技術

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