寺嶋 和夫 | 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻
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概要
東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻 | 論文
- RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE法によるGaAsN混晶の作製と光学特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 多波回折現象を利用した表面X線回折における位相問題の研究とSiO_2/Si界面下の歪みの解析への応用
- 分子性材料薄膜成長中のRHEED強度振動(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
- ナノマテリアルとコンビナトリアルケミストリー (特集 ナノテクノロジーの開発のための基盤技術)