増井 建和 | (株)光波デバイス開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• (株)光波デバイス開発部の論文著者

関連著者

• キルシナムルティ ダイワシガマニ

  (独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター

• 山腰 茂伸

  (株)タムラ製作所コアテクノロジー本部セミコン開発室

• 東脇 正高

  (独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター

• 佐々木 公平

  (株)タムラ製作所コアテクノロジー本部セミコン開発室

• ワン マンホイ

  (独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター

• 上村 崇史

  (独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター

• 倉又 朗人

  (株)タムラ製作所コアテクノロジー本部セミコン開発室

• 増井 建和

  (株)光波デバイス開発部

著作論文

• Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
• Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)

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