東脇 正高 | (独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター
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概要
関連著者
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キルシナムルティ ダイワシガマニ
(独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター
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(株)タムラ製作所コアテクノロジー本部セミコン開発室
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(独)情報通信研究機構未来ICT研究所グリーンICTデバイス先端開発センター
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(株)タムラ製作所コアテクノロジー本部セミコン開発室
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(株)タムラ製作所コアテクノロジー本部セミコン開発室
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増井 建和
(株)光波デバイス開発部
著作論文
- Siイオン注入を用いて作製したディプレッション型酸化ガリウムMOSFET(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
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