TAKAGI Shin-ichi | MIRAI-AIST
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概要
MIRAI-AIST | 論文
- 高移動度チャネルを有するひずみ Si-on-insulator/ ひずみ SiGe-on-insulator デュアルチャネルCMOSの作製と電気特性
- シリコン・オン・インシュレーター(SOI)基板構造の歪局ひずみ評価
- ヘテロソース構造MOSFETにおけるチャネルへの高速電子注入(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SiGe on Insulator構造形成技術(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- ひずみSOI-CMOS素子 : Si格子定数の変調技術を用いた高速SOI素子技術