浅野 明 | 阪大産研:科枝団CREST
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概要
阪大産研:科枝団CREST | 論文
- 6pPSB-25 シアン処理によるMOS構造のリーク電流密度の低減効果(表面界面結晶成長,領域9)
- シアン処理によるシリコン欠陥準位の消滅と太陽電池の高性能化 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
- 29pPSA-7 化学的手法で形成した極薄SiO_2膜の物性とリーク電流低減
- 27aXE-10 白金の触媒作用を用いたSi/SiO_2界面の平坦化とリーク電流の低減
- 15pXE-2 バイアス印加 XPS 法による極薄シリコンオキシナイトライド膜/シリコン界面の界面準位の観測(表面界面電子物性, 領域 9)