Tabares Gema | Departamento de Ingeniería Electrónica and Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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概要
- 同名の論文著者
- Departamento de Ingeniería Electrónica and Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spainの論文著者
関連著者
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Calle Fernando
Departamento de Ingeniería Electrónica and Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Goldhahn Rüdiger
Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39106 Magdeburg, Germany
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Feneberg Martin
Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39106 Magdeburg, Germany
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Cavallini Anna
Department of Physics, University of Bologna, Bologna-40127, Italy
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Bokov Pavel
Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39106 Magdeburg, Germany
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Pandey Saurabh
Department of Physics, University of Bologna, Bologna-40127, Italy
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Brazzini Tommaso
Departamento de Ingeniería Electrónica and Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Tabares Gema
Departamento de Ingeniería Electrónica and Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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Romero Maria
Departamento de Ingeniería Electrónica and Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología, ETSI Telecomunicación, Universidad Politécnica de Madrid, 28040 Madrid, Spain
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ROMERO Maria
Departments of Marine Pathology
著作論文
- Impact of AlN Spacer on Metal--Semiconductor--Metal Pt--InAlGaN/GaN Heterostructures for Ultraviolet Detection
- Impact of AlN Spacer on Metal-Semiconductor-Metal Pt-InAlGaN/GaN Heterostructures for Ultraviolet Detection (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)