VOGT J. | Universite des Sciences et Technologies de Lille, Laboratoire de Metallurgie Physique et Genie des Materiaux UMR CNRS
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概要
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論文 | ランダム
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- AlN/GaN規則混晶層を用いた立方晶GaN薄膜のGaAs(100)基板上へのMBE成長 : 立方晶GaN薄膜の高品質化の新しい試み(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- Distribution Mapping of the Time Intervals After Entertainment of Ventricular Tachycardia : A New Method for Localization of the Central Common Pathway