宮本 智之 | 東京工業大学精密工学研究所
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概要
関連著者
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宮本 智之
東京工業大学精密工学研究所
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宮本 智之
東京工業大学
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宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所
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菅原 雄大
東京工業大学精密工学研究所
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牛尾 拓也
東京工業大学精密工学研究所
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菅原 雄大
東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター
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宮本 智之
東京工業大学 精密工学研究所 マイクロシステム研究センター
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美濃島 薫
産業技術総合研究所 計測標準研究部門
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馬場 俊彦
横浜国立大学電子情報工学科
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井戸 立身
(株)日立製作所中央研究所
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馬場 俊彦
横浜国立大学工学研究院
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馬場 俊彦
横浜国立大学
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芦原 聡
東京農工大学大学院 共生科学技術研究院
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反町 幹夫
東京工業大学 マイクロシステム研究センター
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伊東 一良
日本学術会議
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早瀬 潤子
慶應義塾大学理工学部
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岩崎 創
東京工業大学精密工学研究所
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美濃島 薫
産業技術総合研究所
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早瀬 潤子
慶應義塾大学
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岩崎 創
東京工業大学精密工学研究所フォトニクス集積システム研究センター
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芦原 聡
東京農工大学工学部
著作論文
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- ポスター発表報告
- 5-1 面発光レーザとその波長域拡大・高性能化(5.先端半導体レーザの現状と展望,進化する先端フォトニックデバイス)
- GaAs 基板上レーザーの1.3μmを超える長波長化の検討
- C-4-24 キャリア蓄積型SOAの高速動作条件の理論検討(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)