栗田 進 | 東北大金研

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  東北大学金属材料研究所

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著作論文

• 3p-C-4 GaSe,GaTeの吸収端における圧力効果
• GaSeのFaraday效果とBand Parameter : 半導体・イオン結晶・光物性
• P型PbSeのファラディ効果 : 半導体・イオン結晶・光物性
• パルス磁場におけるGaSeのFaraday効果 : 光物性・イオン結晶
• Cd_3As_2の二三の性質 : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• GaSeのFaraday効果 : 半導体 : 輸送
• PbSeのFaraday効果 : 半導体 : 測定法
• 赤外領域におけるPbTeのFree Carrier Absorption及びFaraday Effect : 半導体(化合物)
• 8p-A-6 II-V族金属間化合物の電気的性質

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