ISHIBASHI Koji | Advanced Device Laboratory, RIKEN:CREST, Japan Science and Technology(JST)
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概要
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論文 | ランダム
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
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- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)