VESCAN Andrei | GaN Device Technology, RWTH Aachen

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概要

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GaN Device Technology, RWTH Aachen | 論文

• Formation of a Monocrystalline, M-Plane AlN Layer by the Nitridation of \gamma-LiAlO2(100)
• Formation of a Monocrystalline, M-Plane AlN Layer by the Nitridation of γ-LiAlO_2(100)

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