IMAI Isamu | Department of Physics, College of General Educations, University of Tokyo
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概要
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論文 | ランダム
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 総論
- 三次元プロセスシミュレーション(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
- 不純物シミュレ-ション (超微細半導体シミュレ-ション技術--21世紀へ向けた限界への挑戦) -- (プロセスシミュレ-ション)
- 色素非産生Staphylococcus chromogenes