井上 公 | 産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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概要
産業技術総合研究所強相関電子研究センター | 論文
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
- 正規分布形状STJを用いたコイル集積型超伝導X線検出器の作製
- ペロブスカイト型酸化物ヘテロ接合の抵抗スイッチング・メモリ(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))