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Schuster Julius | ウィーン大学物理化研究所
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ウィーン大学物理化研究所 | 論文
SiC/Cr界面における反応相の成長挙動
Ti箔による炭化ケイ素セラミックスの拡散接合
SiC/Ta/SiC接合体の界面反応と強度
SiC/Ti接合界面の構造と強度
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