佐藤 あゆみ | 秋田県立大学大学院総合システム科学専攻(建築学)・修士(工学):日本学術振興会
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概要
論文 | ランダム
- 30p-PSB-53 Nd_2(Fe, Co, Ni)_BのNMR
- 現今の古代埃及語研究について
- ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)