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八木 靖幸 | 関西電力(株)電力技術研究所
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関西電力(株)電力技術研究所 | 論文
大容量SiCツェナーダイオードの作製と電気特性評価
電磁波式トンネル位置測量技術の開発
SiCパワーデバイスの開発状況-Si半導体の限界を越える新半導体
3kV 600A 4H-SiC平型pnダイオードの静特性
低合金鋼のスモールパンチクリープ特性におよぼす試験片表面状況と雰囲気の影響
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