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藤 寛 | シャープ株式会社技術本部基盤技術研究所
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シャープ株式会社技術本部基盤技術研究所 | 論文
p型GaNにおけるPdオーミック電極の特性
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負イオン注入形成Geナノ粒子含有SiO_2薄膜の電気的特性
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