杉山 芳弘 | 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部

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概要

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• 同名の論文著者
• 富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部の論文著者

富士通研究所 基盤技術研究所 シリコンデバイス研究部 | 論文

• 窒化アルミニウムバリアを用いたTMR膜の諸特性
• 強磁性トンネル接合の低抵抗領域での特性
• CoFe層を持つスピンバルブライク強磁性トンネル膜
• トンネル型磁気抵抗素子の開発と磁気ヘッド, MRAMへの応用
• CoFe磁性層を持つ強磁性トンネル接合膜

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