桑沢 好則 | 千葉大理
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概要
関連著者
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桑沢 好則
千葉大理
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千葉大 理
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Slovak Academy Of Science
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フジクラ
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松尾 泰弘
千葉大理
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加藤 良隆
千葉大理
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千葉大理
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木下 真之
千葉大理
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中村 明史
千葉大理
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Slovak Acad.Sci
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Slovak Acad.Sci
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広島大理物理
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千葉大学
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千葉大学
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千葉大学
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千葉大理物理
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中村 敏彦
千葉大理
著作論文
- 30p-R-10 La_Sr_CuO_4単結晶におけるc軸方向の磁束相関の発達
- 4p-C-1 Nb/Ge多層膜の臨界磁場
- 24aP-9 アモルファスW/Si多層膜超伝導体におけるボルテックスの動的挙動の膜厚依存性 (II)
- 27aYM-11 アモルファスW/Si多層膜におけるボルテックスの動的挙動の膜厚依存性
- 1p-R-9 超伝導多層膜Nb/NbZrにおける上部臨界磁場の角度依存性
- 28a-Q-2 Nb/NbZr多層膜におけるHc_2の角度依存性と磁束線の構造II
- Nb/NbZr多層膜におけるH_の角度依存性と磁束線の構造
- 25aWF-12 dc-transformer法によるアモルファスW/Si多層膜超伝導体磁束系の考察
- 29p-B-5 アモルファスW/Si多層膜超伝導体における渦糸のPlastic Flow現象
- 28a-K-8 多層膜超伝導体における電流電圧特性と磁束系相図
- 31p-G-15 2次元超伝導体アモルファス・タングステン(a-W)膜における磁束の挙動
- 8a-X-5 アモルファスW/Si多層膜における熱励起vortex loopのsize効果
- 7p-M-3 YBCO膜における磁束線間の相関の発達
- 7a-M-6 多層膜超伝導体における磁束格子融解と次元性
- 5a-K-6 アモルファスSi/W/Si薄膜における磁場誘起型S-I転移とスケーリング則
- 28p-M-11 多層膜超伝導体における磁場中超伝導転移
- アモルファスW超薄膜における超伝導-絶縁体転移
- W/Si多層膜の次元性と零磁場I-V特性
- YBCO膜における磁束線の形成と構造変化
- W/Si多層膜におけるGLゆらぎと異方性
- W/Si多層膜における零磁場I-V特性
- YBa_2Cu_3O_膜の低磁場領域におけるI-V特性
- 31a-PS-42 YBa_2Cu_3O_膜のI-V特性におけるスケーリング則
- 31a-R-4 W/Si多層膜の磁場中輸送特性
- 4p-YE-13 YBa_2Cu_3O_膜のI-V特性に対するローレンツ力依存性
- 31a-L-11 V/Cr多層膜の超伝導特性におけるV膜厚依存性
- 31a-L-8 超伝導多層膜Nb/NbZrの上部臨界磁場の角度依存性
- 28a-YE-2 YBCO膜の電流電圧特性と異方性
- 13p-D-2 V/Cr多層膜の超伝導特性に対する結晶配向性の影響
- 13p-D-1 Nb/NbZr多層膜の臨界電流と秩序パラメータの局在
- 1p-T-4 超伝導多層膜Nb/NbZrの臨界電流密度と次元性
- 1p-T-1 V/Cr多層膜の超伝導特性III
- 28p-P-10 超伝導多層膜Nb_Zr_/Nbの臨界電流密度の異方性IV
- 29p-ZC-5 超伝導多層膜Nb_Zr_/Nbの臨界電流密度の異方性III
- 超伝導多層膜Nb_Zr_/Nbの臨界電流密度の異方性
- 3a-ZE-13 NbZr/Nb多層膜の超伝導
- 10a-Z-12 GeのK吸収端近傍での異常透過とその温度変化
- V/Cr多層膜の超伝導特性
- 6a-C-8 超伝導薄膜の電流-電圧特性 II
- 7a-G-1 超伝導薄膜の電流-電圧特性
- 27p-W-4 超伝導多層膜Nb_Zr_/Nbの臨界電流密度の異方性(II)
- 27p-W-3 V/Cr多層膜の超伝導特性
- 4p-NF-7 Point Contact Junction Nb-Nb-Oxide-Ferromagnetic SuperにおけるI_cの温度依存
- 7p-H-11 電気四重極遷移の光電吸収断面積の偏光X線による測定
- 7pQB-4 Antidot Pinning arrayを有するW/Si超伝導多層膜における磁束系の動的性質((薄膜・渦系),超伝導,領域6)
- 2p-YE-6 YBCO膜のグラス転移近傍における磁束の構造と運動(2pYE 低温(高温超伝導・混合状態(相図,磁気緩和等)),低温)
- 28a-SC-5 Nb/Nb_Sn_x多層膜超伝導体の上部臨界磁場(28a SC 低温(超伝導多層膜,近接効果その他))
- 2p-YE-7 YBa_2Cu_3O_膜の低磁場領域におけるI-V特性II(2pYE 低温(高温超伝導・混合状態(相図,磁気緩和等)),低温)