八重樫 浩樹 | 沖電気工業株式会社研究開発本部
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概要
関連著者
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八重樫 浩樹
沖電気工業株式会社研究開発本部
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八重樫 浩樹
沖電気工業(株)研究開発センターネットワークテクノロジーラボラトリ
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中村 幸治
沖電気工業株式会社研究開発本部
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中村 幸治
沖電気工業株式会社
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中村 幸治
沖電気工業(株)コンポーネント事業部
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小川 洋
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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小川 洋
沖電気工業株式会社研究開発本部
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沖電気工業株式会社occ研究開発部
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小川 洋
沖電気工業 (株) 研究開発本部
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沖電気工業(株)研究開発センターネットワークテクノロジーラボラトリ
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高橋 博之
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沖電気工業株式会社研究開発本部
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宮村 悟史
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荒平 慎
沖電気工業(株)研究開発センターネットワークテクノロジーラボラトリ
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志村 大輔
沖電気工業株式会社研究開発本部
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志村 大輔
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関川 亮
沖電気工業株式会社研究開発本部
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株式会社フジクラ光電子回路開発センター
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小里 貞二郎
株式会社フジクラ光電子回路開発センター
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関川 亮
沖電気工業研究開発本部
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小里 貞二郎
(株)フジクラ光電子回路開発センター
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志村 大輔
沖電気工業研究開発本部
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中谷 晋
株式会社フジクラ
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小里 貞二郎
株式会社フジクラ
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志村 大輔
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(pecst):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(petra)
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太縄 陽介
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構沖電気工業株式会社研究開発センタ
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岡山 秀彰
Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association
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岡山 秀彰
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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高橋 博之
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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佐々木 浩紀
沖電気工業研究開発本部
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八重樫 浩樹
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構:沖電気工業(株)研究開発センタ
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岡山 秀彰
沖電気工業
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志村 大輔
フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構(PECST)
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八重樫 浩樹
フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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佐々木 浩紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
著作論文
- BCS-1-8 アイソレータフリーモジュール用1.49μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(BCS-1.アクセスシステムを支える光技術,シンポジウムセッション)
- 伸張歪MQW可飽和吸収体を集積化したモード同期半導体レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック再生実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- アイソレータフリーモジュール用1.3μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-3-33 モード同期半導体レーザを用いた全光クロック再生における雑音重畳信号耐性実験(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- BCS-1-8 アイソレータフリーモジュール用1.49μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(BCS-1.アクセスシステムを支える光技術,シンポジウムセッション)
- 伸張歪MQW可飽和吸収体を集積化したモード同期半導体レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック再生実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 伸張歪MQW可飽和吸収体を集積化したモード同期半導体レーザを用いた偏波・波長・フィルターフリー全光クロック再生実験(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- アイソレータフリーモジュール用1.3μm利得結合型DFBレーザの反射戻り光耐性(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 光ファイバ増幅器用高出力高信頼性0.98μm半導体レ-ザ (先端技術特集)
- C-3-43 ONU用偏波無依存シリコン細線光導波路回路(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 複数構造領域を使用したSi光導波路干渉器による偏波・温度変動・幅誤差耐性の検討(半導体レーザ関連技術,及び一般)