興 雄司 | 九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻

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概要

• 同名の論文著者
• 九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻の論文著者

九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻 | 論文

• CoSi_2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の評価
• MOS形トンネル電子エミッタ作製のためのCoSi_2ゲート電極形成
• Si-SiO_2界面の遷移領域の熱処理効果
• CoSi_2ゲートMOSトンネル構造の形成と評価
• 極薄トンネル酸化膜の電気特性の膜厚依存性と熱処理効果およびFIBによるCoシリサイド微構造の低温形成

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